![IPD50N03S2L06ATMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-tle42744dv50atma1-2638.jpg)
IPD50N03S2L06ATMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
136W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.4m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 85μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
68nC @ 10V
上升时间
30ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.0092Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
雪崩能量等级(Eas)
250 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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-
IPD50N03S2L06ATMA1
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50 A
50A (Tc)
20 V
136W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50 A
50A (Tc)
20 V
56W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50 A
50A (Tc)
20 V
68W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
58 A
58A (Tc)
20 V
55W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
40 A
40A (Tc)
20 V
5W (Ta), 48W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
IPD50N03S2L06ATMA1 PDF数据手册
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