IPD33CN10NGATMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) TO-252
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
27A Tc
10V
1
58W Tc
17 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
58W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
33m Ω @ 27A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 29μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1570pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
上升时间
21ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
4 ns
连续放电电流(ID)
27A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
108A
雪崩能量等级（Eas）
47 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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IPD33CN10NGATMA1
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
27 A
27A (Tc)
20 V
58 W
58W (Tc)
10V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
35 A
35A (Tc)
20 V
91 W
91W (Tc)
10V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
35 A
35A (Tc)
20 V
91 W
91W (Tc)
10V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
35 A
35A (Tc)
20 V
91 W
91W (Tc)
10V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
32 A
32A (Tc)
20 V
-
50W (Tc)
10V
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