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IPD30N06S223ATMA2
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
30A Tc
10V
1
100W Tc
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 50μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
901pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 10V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
55V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120A
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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IPD30N06S223ATMA2
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