![IPD180N10N3GBTMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-tle42744dv50atma1-2638.jpg)
IPD180N10N3GBTMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-252
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
43A Tc
6V 10V
1
71W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 33μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1800pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
43A
漏极-源极导通最大电阻
0.018Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
172A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD180N10N3GBTMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN封装 :