你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

IPD180N10N3GBTMA1

型号:

IPD180N10N3GBTMA1

封装:

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

数据表:

IPD180N10N3 G

描述:

Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-252

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 43A Tc

  • 6V 10V

  • 1

  • 71W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    18m Ω @ 33A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 33μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1800pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    43A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.018Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    172A

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    50 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

IPD180N10N3GBTMA1 PDF数据手册