IPD048N06L3GBTMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
1
115W Tc
4.5V 10V
90A Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.8m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 58μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8400pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
90A
漏极-源极导通最大电阻
0.0048Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
360A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
68 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD048N06L3GBTMA1 PDF数据手册
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