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IPB60R380P6ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 600V TO263-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
10.6A Tc
10V
1
83W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
CoolMOS™ P6
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 3.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 320μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
877pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
10.6A
最大双电源电压
600V
漏极-源极导通最大电阻
0.38Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
29A
雪崩能量等级(Eas)
210 mJ
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)Moisture Sensitivity Level (MSL)Mounting TypeNumber of TerminationsFET TypeOperating ModeMount
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IPB60R380P6ATMA1
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