
IPB180N04S4H0ATMA1
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
180A Tc
10V
1
250W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 180μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
17940pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
225nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
180A
漏极-源极导通最大电阻
0.0011Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
720A
DS 击穿电压-最小值
40V
雪崩能量等级(Eas)
850 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPB180N04S4H0ATMA1 PDF数据手册
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