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IPB120N04S401ATMA1

型号:

IPB120N04S401ATMA1

封装:

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

数据表:

IPx120N04S4-01

描述:

MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    D2PAK (TO-263AB)

  • 120A Tc

  • 10V

  • 188W Tc

  • 41 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 接通延迟时间

    34 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.5mOhm @ 100A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 140μA

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    14000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    176nC @ 10V

  • 上升时间

    16ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    36 ns

  • 连续放电电流(ID)

    120A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    40V

  • 输入电容

    14nF

  • 漏源电阻

    1.35mOhm

  • 最大rds

    1.5 mΩ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
  • IPB120N04S401ATMA1

    IPB120N04S401ATMA1

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    40V

    120 A

    120A (Tc)

    1.5 mΩ

    20 V

    188W (Tc)

  • FDB9403-F085

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    -

    110 A

    110A (Tc)

    -

    20 V

    333W (Tj)

  • AUIRFS8403

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    40V

    123 A

    123A (Tc)

    3.3 mΩ

    20 V

    99W (Tc)

IPB120N04S401ATMA1 PDF数据手册