IPB100N08S2L07ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
4.5V 10V
1
300W Tc
85 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
246nC @ 10V
上升时间
56ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
75V
漏极-源极导通最大电阻
0.0087Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级(Eas)
810 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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-
IPB100N08S2L07ATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
20 V
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
16A (Ta), 80A (Tc)
20 V
255W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
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