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IPB100N06S3-04
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
10V
1
214W Tc
62 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
电压 - 额定直流
55V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
214W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.1m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14230pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
314nC @ 10V
上升时间
62ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
62 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级(Eas)
450 mJ
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
IPB100N06S3-04
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
20 V
214 W
214W (Tc)
10V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
188 W
188W (Tc)
10V
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
28 A
28A (Ta), 120A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
10V
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