![IPB100N04S2L03ATMA2](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-ldp0133ay-7072.jpg)
IPB100N04S2L03ATMA2
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
31 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
4.5V 10V
1
300W Tc
77 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
230nC @ 10V
上升时间
51ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
27 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级(Eas)
810 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°COperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)Peak Reflow Temperature (Cel)Mounting Type
-
IPB100N04S2L03ATMA2
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NOT SPECIFIED
Surface Mount
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NOT SPECIFIED
Surface Mount
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NOT SPECIFIED
Surface Mount
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NOT SPECIFIED
Surface Mount
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
100 A
100A (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NOT SPECIFIED
Surface Mount
IPB100N04S2L03ATMA2 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :