IPB093N04LGATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
47W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
47W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.3m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 16μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2100pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
46A
漏极-源极导通最大电阻
0.0093Ohm
DS 击穿电压-最小值
40V
RoHS状态
RoHS Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IPB093N04LGATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
40V
50 A
50A (Tc)
20 V
47 W
47W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
60 A
60A (Ta)
20 V
60 W
60W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
16.1 A
16.1A (Ta), 50A (Tc)
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 66W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
30V
71 A
71A (Tc)
20 V
70 W
70W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
70 A
70A (Tc)
20 V
-
58W (Tc)
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