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IPB029N06N3GE8187ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
质量
1.946308g
晶体管元件材料
SILICON
62 ns
188W Tc
1
10V
120A Tc
已出版
2011
系列
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.2m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 118μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13000pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
165nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0032Ohm
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
雪崩能量等级(Eas)
235 mJ
宽度
9.45mm
长度
10.31mm
高度
4.57mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)Moisture Sensitivity Level (MSL)
-
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
188W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
188W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
167W (Tc)
10V
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
110 A
110A (Tc)
-
176W (Tj)
10V
1 (Unlimited)
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