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IPB020N08N5ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
6V 10V
1
300W Tc
62 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 208μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12100pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
166nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
80V
漏极-源极导通最大电阻
0.002Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
雪崩能量等级(Eas)
674 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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IPB020N08N5ATMA1
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
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20 V
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
110 A
110A (Tc)
20 V
300W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
214W (Tc)
Single
IPB020N08N5ATMA1 PDF数据手册
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