
IPA083N10N5XKSA1
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-Ch 100V 44A TO220FP-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
44A Tc
6V 10V
1
36W Tc
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSFM-T3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.3m Ω @ 44A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 49μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2730pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37nC @ 10V
上升时间
5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
44A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.0083Ohm
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
70 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseOperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)Vgs (Max)TechnologyFET TypeMounting TypePackaging
-
IPA083N10N5XKSA1
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Through Hole
Tube
-
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Through Hole
Tube
-
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Through Hole
Tube
-
TO-220-3 Full Pack
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Through Hole
Tube
-
TO-220-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
±20V
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
Through Hole
Tube
IPA083N10N5XKSA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :