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D850N34TXPSA1

型号:

D850N34TXPSA1

封装:

DO-200AB, B-PUK

数据表:

D850N

描述:

DIODE GEN PURP 3.4KV 850A

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    DO-200AB, B-PUK

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    Not Applicable

  • 速度

    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    50mA @ 3400V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.28V @ 850A

  • 工作温度 - 结点

    -40°C~160°C

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    3400V

  • 平均整流电流(Io)

    850A

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    3.4kV

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    12.8kA

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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