BSP295H6327XTSA1
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.8A Ta
4.5V 10V
1
1.8W Ta
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SIPMOS®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
300m Ω @ 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 400μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
368pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
9.9ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
19 ns
连续放电电流(ID)
1.8A
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.5Ohm
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
7.2A
双电源电压
60V
栅源电压
1.1 V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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2.3 A
1.7A (Ta)
-1 V
20 V
3.9 W
2W (Ta)
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-1.8 A
1.8A (Tc)
-2 V
20 V
2 W
2W (Ta), 3.1W (Tc)
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TO-261-4, TO-261AA
1.9 A
1.9A (Ta)
-
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
1.8 A
1.8A (Ta)
-
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
BSP295H6327XTSA1 PDF数据手册
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