
BSC265N10LSFGATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
6.5A Ta 40A Tc
4.5V 10V
1
78W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
78W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26.5m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 43μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1600pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21nC @ 10V
上升时间
24ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
1.85V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.0265Ohm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
BSC265N10LSFGATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
40 A
6.5A (Ta), 40A (Tc)
1.85 V
20 V
78 W
78W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
30 A
8.3A (Ta), 30A (Tc)
1.5 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta)
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
8.8 A
30A (Tc)
1.5 V
20 V
3.7 W
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
45 A
42A (Tc)
2 V
20 V
110 W
110W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
49 A
12A (Ta), 49A (Tc)
1.9 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 104W (Tc)
BSC265N10LSFGATMA1 PDF数据手册
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