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BSC110N06NS3GATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
包装/外壳
8-PowerTDFN
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
14 ns
2.5W Ta 50W Tc
1
10V
50A Tc
已出版
2011
系列
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 23μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2700pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
77ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
雪崩能量等级(Eas)
22 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
BSC110N06NS3GATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
50 A
50A (Tc)
12 V
2.5 W
2.5W (Ta), 50W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
56 A
56A (Tc)
20 V
-
99W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
79 A
56A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
58 A
58A (Tc)
-
-
83W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
59 A
14.2A (Ta), 59A (Tc)
-
-
3.2W (Ta), 60W (Tc)
ROHS3 Compliant
BSC110N06NS3GATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 其他 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :