工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

26 ns

48W Tc

1

10V

20A Tc

已出版

2010

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

48W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24.5m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

740pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

20A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0245Ohm

漏源击穿电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

29 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

无铅

Lead Free