工厂交货时间

13 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

42A Tc

10V

1

110W Tc

39 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 10V

上升时间

59ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

42A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.022Ohm

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

96 mJ

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant

无铅

Lead Free