工厂交货时间

16 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

75A Tc

10V

1

140W Tc

38 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

140W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

130ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

77 ns

连续放电电流(ID)

75A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0055Ohm

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

470A

雪崩能量等级（Eas）

220 mJ

高度

9.017mm

长度

10.6426mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant