安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

晶体管元件材料

SILICON

Tape & Reel (TR)

6.5A (Ta)

厂商

Infineon Technologies

Obsolete

1

NOT SPECIFIED

150 °C

Yes

IRF7313TRPBF-1

Infineon Technologies AG

2

End Of Life

INFINEON TECHNOLOGIES AG

5.31

6.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET General Purpose Power

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

功率 - 最大

2W (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.029 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

场效应管特性

Standard