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ESD5V3S1U02LRHE6327XTSA1

型号:

ESD5V3S1U02LRHE6327XTSA1

品牌:

Infineon

封装:

SOD-882

描述:

Trans Voltage Suppressor Diode, 66W, 5.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, 1.00 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, TSLP-2-17, 2 PIN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOD-882

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    PG-TSLP-2-17

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Bulk

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Obsolete

  • 5.73

  • INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Obsolete

  • 1

  • Infineon Technologies AG

  • RECTANGULAR

  • ESD5V3S1U02LRHE6327XTSA1

  • Yes

  • 125 °C

  • NOT SPECIFIED

  • -55 °C

  • UNSPECIFIED

  • CHIP CARRIER

  • 1.00 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, TSLP-2-17, 2 PIN

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C (TJ)

  • 系列

    -

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 应用

    General Purpose

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    Transient Suppressors

  • 技术

    AVALANCHE

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-XBCC-N2

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    5.7V

  • 功率 - 脉冲峰值

    66W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    5.5A (8/20µs)

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    11V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    5.3V (Max)

  • 单向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    5.3 V

  • 电容@频率

    35pF @ 1MHz

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    66 W

  • 击穿电压-最小值

    5.7 V

  • 最大箝位电压

    9 V

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