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BTS3046SDR
4-SMD, No Lead
Power Switch ICs - Power Distribution HITFET SMART LOWSIDE PWR SW
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Active
AEC-Q100
-
+ 150 C
10 V
0.139332 oz
- 40 C
2500
2 V
46 mOhms
10 A
SMD/SMT
120 us
100 us
BTS346SDRXT SP000438728 BTS3046SDRATMA1
Infineon
Infineon Technologies
HITFET
Details
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
BTS3046SDR
RECTANGULAR
1
Active
Infineon BTS3046SDR Intelligent Power Switch, Low Side, 3.6A, 60V, 3-Pin, TO-252
INFINEON TECHNOLOGIES AG
1.64
TO-252
10 A
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SXT324
包装
MouseReel
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
MHz Crystal
端子表面处理
Tin (Sn)
子类别
Switch ICs
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
频率
16.384 MHz
频率稳定性
±25ppm
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出的数量
1 Output
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
2 V to 10 V
ESR(等效串联电阻)
70 Ohms
配置
SINGLE
负载电容
16pF
操作模式
Fundamental
输出电流
3.6 A
箱体转运
DRAIN
频率容差
±20ppm
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
Power Switch ICs - Power Distribution
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.208 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
140 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
产品
Power Switches
产品类别
Power Switch ICs - Power Distribution
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
-