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35CGQ100

型号:

35CGQ100

品牌:

Infineon

封装:

-

描述:

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 触点镀层

    Lead, Tin

  • 底架

    Through Hole

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    3

  • Non-Compliant

  • 5.49

  • 1.11 V

  • SENSITRON SEMICONDUCTOR

  • Active

  • 2

  • Sensitron Semiconductors

  • SQUARE

  • 35CGQ100

  • No

  • 150 °C

  • NOT SPECIFIED

  • -65 °C

  • UNSPECIFIED

  • FLANGE MOUNT

  • S-XSFM-P3

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 应用

    POWER

  • 电容量

    1 nF

  • 技术

    SCHOTTKY

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 额定电流

    35 A

  • JESD-30代码

    S-XSFM-P3

  • 配置

    COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

  • 元素配置

    Common Cathode

  • 二极管类型

    RECTIFIER DIODE

  • 正向电流

    35 A

  • 正向电压

    1.11 V

  • 平均整流电流

    35 A

  • 相位的数量

    1

  • 峰值反向电流

    70 µA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    100 V

  • Rep Pk反向电压-最大值

    100 V

  • JEDEC-95代码

    TO-254AA

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    150 A

  • 最大非代表Pk前进电流

    150 A

  • 反向电压

    100 V

  • 反向电流-最大值

    70 µA

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    150 A

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 高度

    21.16 mm

  • 辐射硬化

    No

  • 无铅

    Contains Lead

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35CGQ100 PDF数据手册

  • 数据表 :