安装类型

Through Hole

包装/外壳

4-SIP

30mA

操作温度

-40°C~85°C

零件状态

Not For New Designs

输出类型

Phototransistor

回应时间

15μs, 15μs

感应距离

0.15 (3.8mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

感测方法

Reflective

最大直流驱动电流（If）

50mA

RoHS状态

RoHS Compliant