![HT6256DC](https://static.esinoelec.com/200dimg/renesaselectronicsamericainc-71256sa15tpg-8749.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Through Hole
包装/外壳
28-CDIP (0.600, 15.24mm)
供应商器件包装
28-CDIP
Volatile
操作温度
-55°C~225°C TA
包装
Bulk
系列
HTMOS™
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
225°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 供电
4.5V~5.5V
频率
20MHz
界面
Parallel
内存大小
256Kb 32K x 8
时钟频率
20MHz
访问时间
50ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeAccess TimeInterfaceOperating Supply VoltageMin Operating TemperaturePart StatusMax Supply Voltage
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HT6256DC
28-CDIP (0.600, 15.24mm)
Volatile
50ns
Parallel
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-55 °C
Active
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28-CDIP (0.300, 7.62mm)
Non-Volatile
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5 V
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Obsolete
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-
CDIP
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
90 ns
Parallel
5 V
-55 °C
Active
5.5 V
-
CDIP
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
90 ns
Parallel
5 V
-55 °C
Active
5.5 V
-
CDIP
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
35 ns
Parallel
5 V
-55 °C
Active
5.5 V
HT6256DC PDF数据手册
- 数据表 :
- 冲突矿产声明 :