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规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
20
No
Obsolete
HARRIS SEMICONDUCTOR
DIP, DIP20,.3
125 °C
-55 °C
CERAMIC, GLASS-SEALED
DIP
DIP20,.3
RECTANGULAR
IN-LINE
5.5 V
4.5 V
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8542.31.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T20
资历状况
Not Qualified
温度等级
MILITARY
uPs/uCs/外围ICs类型
SYSTEM INTERFACE LOGIC, CONTROL AND COMMAND SIGNAL GENERATOR
电源电流-最大值
10 mA
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
总线兼容性
80C286