表面安装

NO

终端数量

8

Obsolete

HARRIS SEMICONDUCTOR

,

90 dB

125 °C

-55 °C

METAL

ROUND

CYLINDRICAL

0.5 V/us

15 V

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

200A

Case

SEMITRANS3

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

600A

Mechanical mounting

screw

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.33.00.01

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

功能数量

1

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W8

资历状况

Not Qualified

温度等级

MILITARY

拓扑

IGBT half-bridge

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

负电源电压(Vsup)

-15 V

平均偏置电流-最大值 (IIB)

1.5 μA

筛选水平

MIL-STD-883

输入失调电压-最大值

6000 μV

第二个连接器加载的位置数

for UPS,