表面安装

NO

终端数量

14

No

Obsolete

HARRIS SEMICONDUCTOR

DIP, DIP14,.3

30 Ω

125 °C

-55 °C

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

DIP

DIP14,.3

RECTANGULAR

IN-LINE

15 V

JESD-609代码

e0

端子表面处理

TIN LEAD

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

Not Qualified

温度等级

MILITARY

通道数量

1

模拟 IC - 其他类型

SPDT

负电源电压(Vsup)

-15 V

断态隔离-标称

50 dB

开关量

BREAK-BEFORE-MAKE

开启时间-最大值

150 ns

关机时间-最大值

130 ns