![HGTG12N60C3DR](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-247
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Harris Corporation
Bulk
Active
24 A
480V, 12A, 25Ohm, 15V
Non-Compliant
FLANGE MOUNT
NOT SPECIFIED
PLASTIC/EPOXY
36 ns
290 ns
NOT SPECIFIED
No
HGTG12N60C3DR
RECTANGULAR
Rochester Electronics LLC
1
Active
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
5.65
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
端子表面处理
TIN LEAD
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
104 W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 12A
集电极电流-最大值(IC)
24 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
600 V
闸门收费
71 nC
集极脉冲电流(Icm)
48 A
Td(开/关)@25°C
37ns/120ns
开关能量
400μJ (on), 340μJ (off)
反向恢复时间(trr)
37 ns