![GE10022](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-204AE
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-204AE
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Harris Corporation
Bulk
Active
40 A
Non-Compliant
FLANGE MOUNT
NOT SPECIFIED
METAL
NOT SPECIFIED
No
GE10022
ROUND
Rochester Electronics LLC
1
Active
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
5.49
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
端子表面处理
TIN LEAD
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
COMMERCIAL
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
250 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 10A, 5V
最大集极截止电流
250μA
JEDEC-95代码
TO-204AE
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
2.5V @ 1A, 20A
电压 - 集射极击穿(最大值)
240 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
40 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
350 V