GD5F2GQ4RBYIG
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Description: 512M X 4 FLASH 1.8V PROM, PDSO8, WSON-8
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
8
Yes
Contact Manufacturer
GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
HSON,
120 MHz
536870912 words
512000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
HSON
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
1.8 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-N8
电源电压-最大值(Vsup)
2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512MX4
内存宽度
4
记忆密度
2147483648 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
备用内存宽度
2
长度
8 mm
宽度
6 mm
GD5F2GQ4RBYIG PDF数据手册
- 数据表 :