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GD5F2GQ4RBYIG

型号:

GD5F2GQ4RBYIG

封装:

-

描述:

Description: 512M X 4 FLASH 1.8V PROM, PDSO8, WSON-8

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Yes

  • Contact Manufacturer

  • GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC

  • HSON,

  • 120 MHz

  • 536870912 words

  • 512000000

  • 85 °C

  • -40 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • HSON

  • RECTANGULAR

  • SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG

  • 1.8 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N8

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    512MX4

  • 内存宽度

    4

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    1.8 V

  • 备用内存宽度

    2

  • 长度

    8 mm

  • 宽度

    6 mm

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