![2N5661](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
供应商器件包装
TO-66
Bulk
1 A
厂商
General Semiconductor
Active
操作温度
-
系列
-
功率 - 最大
20 W
晶体管类型
-
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 500mA, 5V
最大集极截止电流
1µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
频率转换
20MHz