规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
i4-Pac™-5 (3 Leads)
供应商器件包装
ISOPLUS i4-PAC™
22A (Tc)
10V
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GC Electronics
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HiPerFET™
包装
Tube
零件状态
Obsolete
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
390 mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 8mA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
250nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1000V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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