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MB81C258-12P
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Description: Static Column DRAM, 256KX1, 120ns, CMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
16
Obsolete
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC
DIP,
120 ns
262144 words
256000
70 °C
PLASTIC/EPOXY
DIP
RECTANGULAR
IN-LINE
5 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T16
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
256KX1
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.65 mm
内存宽度
1
记忆密度
262144 bit
内存IC类型
STATIC COLUMN DRAM
刷新周期
256
访问模式
STATIC COLUMN
长度
19.45 mm
宽度
7.62 mm
MB81C258-12P PDF数据手册
- 数据表 :