![EL817(D)-V](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fod816300-2286.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
4-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
4
供应商器件包装
4-DIP
300% @ 5mA
操作温度
-55°C~110°C
包装
Tube
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
110°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
200mW
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
35V
输出类型
Transistor
通道数量
1
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.2V
输入类型
DC
每个通道的输出电流
50mA
集电极发射器电压(VCEO)
200mV
最大集电极电流
50mA
上升/下降时间(Typ)
4μs 3μs
最大输入电流
60mA
最大直流驱动电流(If)
60mA
电流传输比(最大)
600% @ 5mA
Vce 饱和度(最大值)
200mV
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of ChannelsVoltage - IsolationCurrent Transfer Ratio (Max)Current Transfer Ratio (Min)Output VoltageOutput Type
-
EL817(D)-V
4-DIP (0.300, 7.62mm)
4
1
5000Vrms
600% @ 5mA
300% @ 5mA
35 V
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63% @ 10mA
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4
1
5000Vrms
600% @ 5mA
100% @ 5mA
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