安装类型

Surface Mount

包装/外壳

Die

供应商器件包装

Die

1.7A

5V

--

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

eGaN®

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Active

技术

GaNFET (Gallium Nitride)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25 mOhm @ 3A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.3nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

+6V, -4V

场效应管特性

--