![F50L1G41LB-104YG2ME](https://res.utmel.com/Images/category/Memory Cards, Modules.png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
8
Yes
Active
ELITE SEMICONDUCTOR MICROELECTRONICS TECHNOLOGYINC
WSON-8
104 MHz
134217728 words
128000000
70 °C
3.3 V
SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
RECTANGULAR
SOLCC8,.3
VSON
UNSPECIFIED
类型
SLC NAND TYPE
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDSO-N8
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
128MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
0.8 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3.3 V
串行总线类型
SPI
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据保持时间
10
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
备用内存宽度
1
长度
8 mm
宽度
6 mm