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F50L1G41LB-104YG2M

型号:

F50L1G41LB-104YG2M

封装:

-

描述:

Flash Memory,

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Noal voltage

    220V, 50Hzmin

  • Contact Manufacturer

  • ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC

  • ,

  • Date Of Intro

    2017-08-18

  • 104 MHz

  • 134217728 words

  • 128000000

  • 70 °C

  • UNSPECIFIED

  • HVSON

  • SOLCC8,.3

  • RECTANGULAR

  • SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

  • 3.3 V

  • 包装

    Blister

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    SLC NAND TYPE

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-XDSO-N8

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.02 mA

  • 组织结构

    128MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    0.8 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.00005 A

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    3.3 V

  • 串行总线类型

    SPI

  • 耐力

    100000 Write/Erase Cycles

  • 电源

    100W

  • 数据保持时间

    10

  • 写入保护

    HARDWARE/SOFTWARE

  • 备用内存宽度

    1

  • 长度

    8 mm

  • 宽度

    6 mm

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