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F50L1G41LB-104YG2M
-
Flash Memory,
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
8
Noal voltage
220V, 50Hzmin
Contact Manufacturer
ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
,
Date Of Intro
2017-08-18
104 MHz
134217728 words
128000000
70 °C
UNSPECIFIED
HVSON
SOLCC8,.3
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
3.3 V
包装
Blister
ECCN 代码
EAR99
类型
SLC NAND TYPE
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-XDSO-N8
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
组织结构
128MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
0.8 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3.3 V
串行总线类型
SPI
耐力
100000 Write/Erase Cycles
电源
100W
数据保持时间
10
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
备用内存宽度
1
长度
8 mm
宽度
6 mm
F50L1G41LB-104YG2M PDF数据手册
- 数据表 :