![ZXMS6006DT8TA](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-zxgd3101t8ta-9095.jpg)
ZXMS6006DT8TA
8-SMD, Gull Wing
DIODES INC. ZXMS6006DT8TA Dual MOSFET, Dual N Channel, 2.8 A, 60 V, 0.075 ohm, 5 V, 1 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SMD, Gull Wing
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
34 μs
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, INTELLIFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
75mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大功率耗散
2.13W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
输出类型
N-Channel
最大输出电流
13A
界面
On/Off
输出配置
Low Side
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.13W
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
3.3V 5V
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
8.6 μs
开关类型
General Purpose
晶体管应用
SWITCHING
每个通道的输出电流
2.8A
上升时间
18μs
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
15 μs
连续放电电流(ID)
2.8A
阈值电压
1V
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
5V
电压-负荷
60V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
75m Ω
漏源电阻
75mOhm
特征
Auto Restart
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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ZXMS6006DT8TA PDF数据手册
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