ZXMS6005SGTA
TO-261-4, TO-261AA
DIODES INC. ZXMS6005SGTA MOSFET Transistor, Enhancement Mode, N Channel, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
1
34 μs
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
INTELLIFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大功率耗散
1.6W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
界面
On/Off
元素配置
Single
输出配置
Low Side
操作模式
ENHANCEMENT MODE
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
3.3V 5V
箱体转运
SOURCE
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
6 μs
开关类型
General Purpose
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
14μs
漏源电压 (Vdss)
65V
下降时间（典型值）
19 μs
连续放电电流(ID)
2A
阈值电压
1V
比率-输入：输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
5V
电压-负荷
60V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
150m Ω
漏源电阻
150mOhm
特征
Auto Restart
高度
1.65mm
长度
6.55mm
宽度
3.55mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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ZXMS6005SGTA
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TO-261-4, TO-261AA
65 V
2 A
1 V
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TO-261-4, TO-261AA
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20 V
-
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TO-261-4, TO-261AA
60 V
1.6 A
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5 V
3 W
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TO-261-4, TO-261AA
60V
2.3 A
-1 V
20 V
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TO-261-4, TO-261AA
75V
2.3 A
-
20 V
-
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ZXMS6005SGTA PDF数据手册
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