规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
4-SIP, GBJ
引脚数
4
二极管元件材料
SILICON
1kV
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
Through Hole
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED
电容量
85pF
电压 - 额定直流
1kV
额定电流
25A
基本部件号
GBJ2510
引脚数量
4
元素配置
Single
二极管类型
Single Phase
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 1000V
输出电流
25A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.05V @ 12.5A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
25A
最大浪涌电流
350A
正向电压
1.05V
平均整流电流
25A
相位的数量
1
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
1kV
峰值非恢复性浪涌电流
350A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
350A
反向电压(直流电)
700V
高度
24.5mm
长度
30.3mm
宽度
4.8mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseForward VoltageReverse Voltage (DC)Average Rectified CurrentRoHS StatusMoisture Sensitivity Level (MSL)Diode Element Material
-
GBJ2510-F
Through Hole
4-SIP, GBJ
1.05 V
700 V
25 A
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
SILICON
-
Through Hole
4-SIP, GBJ
1.05 V
700 V
20 A
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
SILICON
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Through Hole
TO-247-3
1.26 V
600 V
30 A
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
SILICON
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Through Hole
4-SIP, GBJ
1.05 V
560 V
25 A
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
SILICON
-
Through Hole
4-SIP, GBJ
1.05 V
560 V
15 A
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
SILICON
GBJ2510-F PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :