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DDTC115EE-7-F

型号:

DDTC115EE-7-F

封装:

SOT-523

数据表:

DDTC1xxEE

描述:

Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 100K100K

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-523

  • 引脚数

    3

  • 质量

    2.012816mg

  • 50V

  • 1

  • 82

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    20mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    DDTC115

  • 引脚数量

    3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    82 @ 5mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 转换频率

    250MHz

  • 最大击穿电压

    50V

  • 频率转换

    250MHz

  • 电阻基(R1)

    100 k Ω

  • 连续集电极电流

    20mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    100 k Ω

  • 高度

    750μm

  • 长度

    1.6mm

  • 宽度

    800μm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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