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BAS116-7-F

型号:

BAS116-7-F

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

BAS116

描述:

DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    LOW LEAKAGE CURRENT

  • HTS代码

    8541.10.00.70

  • 电容量

    2pF

  • 额定功率

    250mW

  • 电压 - 额定直流

    85V

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    215mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BAS116

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    5nA @ 75V

  • 功率耗散

    250mW

  • 输出电流

    250mA

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.25V @ 150mA

  • 正向电流

    150mA

  • 工作温度 - 结点

    -65°C~150°C

  • 最大浪涌电流

    4A

  • 平均整流电流(Io)

    215mA DC

  • 正向电压

    1.25V

  • 最大反向电压(DC)

    85V

  • 平均整流电流

    215mA

  • 反向恢复时间

    3 μs

  • 峰值反向电流

    5nA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    85V

  • 电容@Vr, F

    2pF @ 0V 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    4A

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    4A

  • 恢复时间

    3 μs

  • 反向电压(直流电)

    85V

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3.05mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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