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DDTC114ECAQ-7-F

型号:

DDTC114ECAQ-7-F

品牌:

Diodes Inc.

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

描述:

DDTC114ECAQ-7-F pdf数据手册 和 Unclassified 产品详情来自 Diodes Inc. 库存可在深圳市佳达源电子有限公司

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3000

  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated

  • Details

  • Tape & Reel (TR)

  • 100 mA

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Active

  • GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • 40

  • Yes

  • 250 MHz

  • DDTC114ECAQ-7-F

  • RECTANGULAR

  • 1

  • Not Recommended

  • DIODES INC

  • 5.64

  • 包装

    MouseReel

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1, HIGH RELIABILITY

  • 子类别

    Transistors

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    200 mW

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    35 @ 5mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 500µA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 频率转换

    250 MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.2 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.05 A

  • 最小直流增益(hFE)

    35

  • 电阻基(R1)

    10 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 kOhms

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

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