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DDTC114ECAQ-7-F
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DDTC114ECAQ-7-F pdf数据手册 和 Unclassified 产品详情来自 Diodes Inc. 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
19 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23-3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
3000
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Details
Tape & Reel (TR)
100 mA
厂商
Diodes Incorporated
Active
GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
40
Yes
250 MHz
DDTC114ECAQ-7-F
RECTANGULAR
1
Not Recommended
DIODES INC
5.64
包装
MouseReel
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1, HIGH RELIABILITY
子类别
Transistors
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
200 mW
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
35 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
250 MHz
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
35
电阻基(R1)
10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased