![S29CL016J0MQFM030](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-s29cd016j0mqfm030-9504.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
80-BQFP
表面安装
YES
引脚数
80
Non-Volatile
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tray
系列
CL-J
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
80
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.65V~3.6V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Mb 512K x 32
时钟频率
56MHz
电源电流-最大值
0.09mA
访问时间
54ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
512KX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
60ns
地址总线宽度
19b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.00006A
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1630
行业规模
2K16K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
长度
20mm
座位高度(最大)
3.35mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageRadiation Hardening
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S29CL016J0MQFM030
80-BQFP
80
Non-Volatile
16 Mb
19 b
54ns
3.3 V
No
-
100-LQFP
100
Volatile
4.5 Mb
17 b
4.5ns
-
No
-
LQFP
100
RAM, SRAM
4.5 Mb
17 b
-
3.3 V
No
S29CL016J0MQFM030 PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :