![CYDM128B16-55BVXIT](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-cydm064b1655bvxi-1167.jpg)
CYDM128B16-55BVXIT
100-VFBGA
IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
100-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
100
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
基本部件号
CYDM
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8/3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
128Kb 8K x 16
端口的数量
2
电源电流-最大值
0.06mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
26b
密度
128 kb
待机电流-最大值
0.000006A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1.7V
长度
6mm
座位高度(最大)
1mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthSupply VoltageSupply Voltage-Max (Vsup)Supply Voltage-Min (Vsup)
-
CYDM128B16-55BVXIT
100-VFBGA
100
Volatile
128 kb
26 b
1.8 V
1.9 V
1.7 V
-
100-VFBGA
100
Volatile
256 kb
28 b
1.8 V
1.9 V
1.7 V
-
100-VFBGA
100
Volatile
64 kb
24 b
1.8 V
1.9 V
1.7 V
-
100-VFBGA
100
Volatile
128 kb
13 b
1.8 V
1.9 V
1.7 V
-
84-TFBGA
84
Volatile
512 Mb
15 b
1.8 V
1.9 V
1.7 V
CYDM128B16-55BVXIT PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :