![CY7C1356C-166BGC](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-71v35761ysa200bg-1009.jpg)
CY7C1356C-166BGC
119-BGA
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
119-BGA
引脚数
119
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
系列
NoBL™
已出版
2004
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
电压 - 供电
3.135V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
电源电压
3.3V
基本部件号
CY7C1356
引脚数量
119
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
9Mb 512K x 18
端口的数量
2
电源电流
180mA
时钟频率
166MHz
访问时间
3.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
19b
密度
9 Mb
待机电流-最大值
0.04A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
3.14V
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageOperating Supply Voltage
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CY7C1356C-166BGC
119-BGA
119
Volatile
9 Mb
19 b
3.5ns
3.3 V
3.3 V
-
119-BGA
119
Volatile
9 Mb
18 b
3ns
3.3 V
3.3 V
-
BGA
119
RAM, SDR, SRAM
9 Mb
19 b
3.8 ns
3.3 V
3.3 V
-
119-BGA
119
Volatile
9 Mb
18 b
3.5ns
3.3 V
3.3 V
-
119-BGA
119
Volatile
9 Mb
18 b
3.5ns
3.3 V
3.3 V
CY7C1356C-166BGC PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN封装 :